オンセミ、第4世代SiCプラットフォーム「EliteSiC M4」を発表

オンセミは、トレンチ構造を採用した第4世代シリコンカーバイド（SiC）プラットフォーム「EliteSiC M4」を発表しました。同社によると、前世代比で電力密度を最大30％高め、損失を35％低減します。車載トラクションインバーター向け750Vベアダイは供給中で、最大1200Vまでの追加製品は2027年から順次供給する予定です。

EliteSiC M4の概要

オンセミが発表したEliteSiC M4は、トレンチ構造を採用する第4世代SiCプラットフォームです。同社は、導通性能とスイッチング性能を向上させ、前世代比で電力密度を最大30％向上、損失を35％低減したと説明しています。AIデータセンター、電気自動車、産業用途などの電源システムを対象とし、システムのサイズや冷却要件を最適化しながら性能と効率を高められるとしています。

オンセミは、AIデータセンターでは電力インフラを同じペースで増設せずに演算能力を拡張できること、電気自動車では小型かつ高効率なトラクションインバーターによる航続距離の延伸、太陽光発電や蓄電システムなどでは電力変換損失の低減に寄与すると説明しています。これらは同社が示す用途上の効果であり、個別システムでの実測結果ではありません。

主な技術上の変更点

オンセミによると、比オン抵抗は前世代から20～50％低減し、より高速なスイッチングを可能にします。スイッチング性能指数はハードスイッチングで67％、ソフトスイッチングで50％向上したとしています。

パッケージは、トップサイドクーリング表面実装パッケージやハイパワーモジュールなど既存の多様な形態に適応できるよう設計されています。また、同社は過酷な動作環境を想定し、185°C以上の動作保証温度に対応すると説明しています。高電圧車載機器や宇宙航空分野での稼働にも適応するとしています。

供給状況

車載トラクションインバーター向けのEliteSiC M4 750Vベアダイは供給中です。最大1200Vまでの電圧範囲をカバーする追加製品は、2027年より順次供給する予定です。

オンセミは、世界中の車両におけるSiCの運用実績が160億マイル以上に達していると説明しています。これは同社が示した実績です。

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