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TSC3PAK
上面放熱パッケージ「TSC3PAK」の主な特徴
ローム株式会社は、SiC MOSFETの新パッケージであるTSC3PAKを開発しました。パッケージサイズは14.00×18.58×3.50mmです。放熱面をパッケージ上面に配置した構造を採用しており、従来の挿入型パッケージであるTO-247-4Lと同等の放熱性能を維持しつつ、自動実装可能な面実装を実現しています。
このパッケージは、独自の溝設計により業界最高クラスの沿面距離6.66mmを確保しています。これにより、汚染度2環境下で1200VのACピーク電圧に対応しており、高耐圧アプリケーションにおいても安全な絶縁設計が可能です。実装コストの低減と信頼性向上を両立します。
Ms.ガジェット自動実装に対応しながら、従来の挿入型と同等の放熱性能を確保している点は、製造工程の効率化を考える上で非常に大きなメリットですね。
第4世代SiC MOSFETによる高効率化
新製品にはロームの第4世代SiC MOSFETが搭載されています。これにより、低オン抵抗と高速スイッチング特性を実現しました。電力変換時のスイッチング損失を大幅に低減し、アプリケーション全体の高効率化と省電力化に寄与します。
本製品はxEVのオンボードチャージャー（OBC）や電動コンプレッサー、産業機器のPVインバータやサーバー電源など、高い電力変換効率が求められる分野での活用が想定されています。
製品ラインアップと購入方法
2026年6月より量産が開始されており、サンプル価格は1個あたり5,500円（税抜）です。以下の方法で購入が可能です。
ROHM Online Storeでの購入
Arrow.comでの購入
コアスタッフオンラインでの購入
なお、ロームの公式Webサイトでは、迅速な回路検討を支援するためのシミュレーションモデルも公開されています。
Ms.ガジェットインターネット販売にも対応しており、開発者が迅速に入手して回路検討に使える環境が整っているのは心強いですね。
TSC3PAK
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