ヌヴォトンジャパンが高出力1.0W紫外半導体レーザの量産を開始
ヌヴォトン テクノロジージャパン株式会社は、2026年1月16日、高出力1.0W紫外(379nm)半導体レーザの量産を開始したことを発表しました。この製品は、直径9.0mmのCANパッケージ(TO-9)に収められており、業界最高クラスの光出力を実現しているとのことです。
本製品は、同社独自のデバイス構造と高放熱パッケージ技術を組み合わせることで、紫外半導体レーザが従来抱えていた課題である「短波長」「高出力」「長寿命」を同時に実現しました。これにより、先端半導体パッケージ向けマスクレス露光の微細化と生産性の向上に貢献すると期待されています。
マスクレス露光への貢献と製品の特長
AI（人工知能）の進化に伴い、半導体の高性能化が求められています。一方で、トランジスタの微細化には限界があり、複数の半導体チップを高集積化するパッケージ技術が注目を集めています。本製品は、その先端半導体パッケージにおける配線形成技術、特にマスクレス露光に貢献します。
マスクレス露光は、フォトマスク（回路原板）を使用せずに設計データに基づいて直接露光する技術です。フォトマスクの設計・製造にかかる時間やコストを削減できるため、関心が高まっています。本製品は、この技術において求められる短波長化と高出力化に対応したものです。
製品の主な特長
- 波長379nm帯でワットクラスの出力1.0Wを実現し、先端半導体パッケージ向けマスクレス露光の微細化・生産スループット向上に貢献
- 独自のデバイス構造とパッケージ技術により、紫外半導体レーザの放熱効率を改善し、光学装置の長寿命化に貢献
- 水銀灯代替ソリューションのラインナップを拡充し、用途に応じた製品選定の柔軟性を向上
放熱効率と長寿命化への取り組み
紫外半導体レーザは、自己発熱が大きく、短波長光による素子劣化が起こりやすいため、高出力での安定動作が困難でした。ヌヴォトンジャパンは、光電力変換効率を高めるデバイス構造と、熱を効率よく逃がす高放熱パッケージ技術の両面からアプローチし、この課題を克服しました。
具体的には、発光層や光閉じ込め層の最適化、不純物プロファイルの精密制御により光の吸収損失を抑え、電気エネルギーを効率よく光に変換するデバイス構造を採用しています。また、高熱伝導材料を用いたサブマウントや、パッケージ材料の見直しにより熱抵抗を低減し、素子の温度上昇を抑制しています。
水銀灯代替ソリューションの拡充
今回の製品は、同社が展開する「半導体レーザによる水銀灯代替ソリューション」のラインナップに加わります。これにより、顧客は用途や設置環境、必要性能に応じて、より柔軟に製品を選定できるようになります。
ヌヴォトンジャパンは、アメリカ・サンフランシスコで開催される「SPIE Photonics West 2026」、日本・横浜で開催される「OPIE’26」の同社ブースにて、本製品の詳細を展示する予定です。
Ms.ガジェット用途と仕様
本製品の主な用途としては、マスクレス露光のほか、樹脂硬化、マーキング、3Dプリンティング、バイオメディカル、そして水銀灯の代替光源などが挙げられています。
対象品番はKLC330FL01WWで、波長は379nm、光出力は1.0W、パッケージタイプはTO-9 CANとなっています。量産開始は2026年3月を予定しています。
Ms.ガジェット最後までお読みいただきありがとうございました！
- 本記事の評価は当サイト独自のものです。
- 特段の表示が無い限り、商品の価格や情報などは記事執筆時点での情報です。
- この情報が誤っていても当サイトでは一切の責任を負いかねますのでご了承ください。
- 当サイトに記載された商品・サービス名は各社の商標です。
- 本記事で使用している画像は、メディアユーザーとしてPR TIMESより提供されたプレスリリース素材を利用しています。