キヤノン、世界初のウエハー平坦化技術を実用化

キヤノンが世界初のウエハー平坦化技術を実用化

キヤノンは、ナノインプリントリソグラフィ（NIL）技術を応用したウエハー平坦化技術「Inkjet-based Adaptive Planarization」（IAP）を開発し、実用化しました。

半導体製造において、成膜や配線工程の繰り返しで発生するウエハー表面の凹凸を均一に整える平坦化工程は非常に重要です。特に先端半導体では、微細化や3D化が進むにつれて、表面のわずかな凹凸が半導体デバイスの性能に悪影響を及ぼす可能性があり、高精度な平坦化技術が求められていました。

既存技術の課題とIAP技術の特長

現在主流の平坦化技術としては、スピンコート技術やCMP（Chemical Mechanical Polishing）技術があります。しかし、これらの技術は工程が複雑になる、あるいはコストが増加するという課題を抱えています。

IAP技術は、これらの課題を克服するために開発されました。キヤノンが以前に発売した半導体製造装置「FPA-1200NZ2C」に搭載されているNIL技術を平坦化用途に応用したもので、ウエハー表面の凹凸に応じてインクジェット方式で平坦化材料（樹脂）を最適に配置します。その後、平坦ガラス板を押し当てることで、ウエハー全体を高精度に平坦化することが可能です。

IAP技術による効果

IAP技術は、ウエハー表面の凹凸を5nm以下に抑えることができるため、より均一な層構造を実現できます。これにより、半導体デバイスの歩留まりや生産性の向上に貢献することが期待されます。回路パターンの違いや凹凸の粗密に左右されることなく、一括で平坦化できる点も特長です。

Ms.ガジェット

半導体の微細化が進む中、ウエハーの平坦性は非常に重要な要素です。IAP技術は、その課題を解決する画期的な技術となりそうですね！

今後の展望と発表予定

キヤノンは、今後も半導体製造技術や装置に関する研究開発を進め、半導体の進化と製造現場の生産性向上に貢献していくとしています。

また、IAP技術と初期段階での実用化結果は、2026年2月25日にSan Jose Convention Centerで開催される「SPIE Advanced Lithography and Patterning Conference」で発表される予定です。

キヤノンは、今回のIAP技術の実用化により、先端半導体製造分野における技術力をさらに強化していく考えです。

Ms.ガジェット

今回の技術発表は、半導体業界に大きな影響を与える可能性があります。今後の展開に注目していきたいですね。

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