三菱電機、次世代EV向け「第5世代SiC-MOSFETチップ」を発表

次世代EVの性能を支える新開発のSiC-MOSFET

三菱電機株式会社は、電動車（xEV）の駆動モーター用インバーターやeAxle（モーター、インバーター、ギヤボックスを一体化した駆動ユニット）に搭載される、新しいSiC-MOSFET（炭化ケイ素を用いた金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）チップの提供を開始します。

今回発表された製品は、同社が独自に開発したトレンチ（ウエハ表面に溝を掘りゲート電極を埋め込んだ構造）型構造を採用しています。これにより、従来品と比較してオン抵抗（スイッチオン状態の抵抗値）を約25％低減することに成功しました。この数値は業界トップクラスを誇るとのことです。

航続距離の延伸と耐久性の向上を実現

本製品の導入により、インバーターの性能向上や小型化が可能となり、結果として電気自動車の航続距離の延伸や電費の改善に貢献するとしています。また、同社の製造プロセス技術により、長期間の使用においても性能劣化や電力損失の変動を抑制することが可能です。

耐久性や性能維持の観点では、ボディダイオード通電による性能劣化を抑制する設計がなされています。長年培ってきたSiC素材の製造実績を活かし、安定した品質を確保することで、車両のインバーターやeAxleの信頼性向上を支える方針です。

主要な展示会での公開を予定

三菱電機によると、本製品は今後開催される国内外の展示会にて公開される予定です。具体的な出展先としては、ドイツのニュルンベルクで開催される「PCIM Expo & Conference 2026」が挙げられています。

あわせて、日本や中国で開催される展示会においても、順次出展が行われるとのことです。同社は今後も、パワーエレクトロニクス機器の省エネ化に向けて、高品質なSiC-MOSFETチップの提供を拡大し、脱炭素社会の実現に貢献するとしています。

• 独自開発のトレンチ構造（FSC構造）を採用
• 従来比でオン抵抗を約25%低減
• 業界トップクラスの低オン抵抗を実現
• 独自の製造プロセスによる長期間の品質安定性
• xEVの航続距離延伸と電費改善への貢献

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