次世代の電力変換を支えるPowerGaN技術
STマイクロエレクトロニクスは、電力効率と電力密度の向上を実現する新しいGaN（窒化ガリウム）ベースのパワー半導体を発表しました。今回発表された700V PowerGaN製品は、AIサーバの消費電力増大や、従来のシリコン技術では難しかった高効率な電力変換という課題に対応するために設計されています。
本製品は、定格電圧700Vでの動作を想定しており、信頼性の高い大電力動作と高周波回路への対応が可能です。低い導通損失や極めて低いスイッチング損失、逆回復電荷ゼロというGaN固有の特性により、システムの小型化や軽量化、さらに動作温度の低減に貢献します。これらの特性は、ロボティクスや産業用電源、スマートグリッドといった分野で特に重要視されています。
Ms.ガジェット幅広いアプリケーションに対応する技術仕様
新たに加わった7品種のGaN HEMT（高電子移動度トランジスタ）は、6Aから29Aの連続電流定格と、53mΩから270mΩの標準オン抵抗（RDS(on)）に対応しています。従来のシリコン製品と比較して、性能指数（FoM）が大幅に向上している点も特徴です。
本製品は、既存のMOSFET（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）からの置き換えが可能であり、高いスイッチング周波数での動作によって、磁性部品などの周辺パーツを小型化できます。これにより、よりコンパクトなパワー段の構築が実現可能です。
主な製品ラインナップは以下の通りです。
| 製品名 | 電流定格 | 標準オン抵抗 | パッケージ |
|---|---|---|---|
| SGT350R70GTK | 6A | 270mΩ | DPAK |
| SGT070R70HTO | 26A | 53mΩ | TO-LL |
| SGT080R70ILB | 29A | 60mΩ | PowerFLAT 8×8 |
| SGT105R70ILB | 21.7A | 80mΩ | PowerFLAT 8×8 |
| SGT140R70ILB | 17A | 106mΩ | PowerFLAT 8×8 |
| SGT190R70ILB | 11.5A | 138mΩ | PowerFLAT 8×8 |
| SGT240R70ILB | 10A | 165mΩ | PowerFLAT 8×8 |
Ms.ガジェット信頼性と設計の柔軟性
提供される表面実装型パッケージのTO-LLおよびPowerFLATには、ゲート制御回路を主電力経路から分離するケルビン・ソース端子が備わっています。これにより高いノイズ耐性を確保し、ゲート・ドライバの保護とタイミング・マージンの維持が可能となっています。
同製品は、主要なEDA（電子設計自動化）ライブラリやツールチェーンでサポートされており、設計環境への導入がスムーズに行えるとのことです。既に量産が開始されており、STのeStoreや販売代理店を通じて入手可能となっています。なお、1000個購入時の単価は約0.63ドルから約2.25ドルとされています。
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