ロームのSiC MOSFET、AIサーバー向けBBU電源に採用

AIサーバーの高電圧化とSiC MOSFETの役割

ローム株式会社は、同社が開発する750V耐圧のSiC（シリコンカーバイド）MOSFETが、AIサーバーのBBU電源に採用されたと発表しました。生成AIの普及によりGPUの高性能化が進み、データセンターでは消費電力の増大が課題となっています。

この課題を解決するため、送電ロスを低減できるHVDC（高圧直流給電）アーキテクチャへの移行が加速しています。高電圧環境下では、停電や瞬停からシステムやデータを保護するBBUやCU（キャパシタユニット）の重要性が増しています。

採用製品の主なスペックと特徴

今回採用された製品は、SiC MOSFETのSCT4013DLLです。主な特徴は以下の通りとなっています。

• 750Vの耐圧性能を確保
• 最大ジャンクション温度（Tj）175℃の高温耐性
• AIサーバー向け±400V電力供給アーキテクチャに対応

この製品は、SiC素材の特性を活かし、高電圧化や高電力密度化に伴う発熱の増加に対しても安定した動作が可能であると説明しています。あわせて、次世代の800VDC電力供給アーキテクチャにおいても、560V程度の電源電圧に対して同様の750V耐圧モデルが活用できるとのことです。

今後の取り組みと技術展開

次世代のAIサーバー用HVDC電源では、異常発生時に高電圧・大電流を低損失で制御するバックアップシステムが求められています。ロームは今後も、高耐圧・低損失・高温耐性を備えたパワーデバイスの開発を強化する方針です。

ロームは独自の一貫生産体制を強みとしており、今後も電力効率の向上を通じて持続可能な社会の実現に貢献していくとしています。

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