トレックス、突入電流に強いSiCショットキーバリアダイオードを発表

トレックス、SiCショットキーバリアダイオードの新シリーズを発表

トレックス・セミコンダクター株式会社は、2026年1月21日、突入電流やサージ電流に強い650VのSiCショットキーバリアダイオード「XBSC41 / XBSC42 / XBSC43シリーズ」を開発したと発表しました。

SiCショットキーバリアダイオードは、従来のシリコンダイオードに比べて、より高い耐圧や高速スイッチング特性を持つことが特徴です。（SiCとは、シリコンよりも高い耐熱性や耐圧性を持つ半導体材料のこと）

製品の特長

XBSC41/XBSC42/XBSC43シリーズは、650Vの耐圧に対応しています。また、6A、8A、10Aの3つの電流レンジが用意されており、用途や設計条件に応じて選択することが可能です。

低逆回復特性により、スイッチング損失を抑え、高効率な電力変換を実現します。性能指数（FOM）を小さく抑えることで損失を低減し、高効率な動作を可能にするとともに、IFSM（サージ順電流）耐量を大幅に強化しています。

信頼性の向上

本シリーズは、過酷なサージ電流や突入電流が発生する環境下でも安定した動作を実現し、システム全体の信頼性向上に貢献するとトレックスは説明しています。スタートアップ時や突入電流発生時にも余裕を持った設計が可能です。

スイッチング電源、白物家電、汎用インバータなど、信頼性が重視される幅広いアプリケーションでの利用が想定されています。パッケージはTO-220AC（10.29 x 28.69 x 4.75mm）を採用しています。

今後の展開

トレックスは、今後もSiCデバイスの研究開発を強化し、高効率で信頼性の高い製品を提供していく方針としています。詳細な製品情報については、トレックス・セミコンダクター株式会社のウェブサイトで確認できます。

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