三菱電機が次世代パワー半導体チップのサンプル提供を開始
三菱電機株式会社は、パワーエレクトロニクス機器に使用可能なトレンチ型SiC-MOSFET（Silicon Carbide Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：炭化ケイ素金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）チップ、4品種のサンプル提供を1月21日に開始します。
同社は、このパワー半導体チップを新たにラインアップすることで、さまざまなパワーエレクトロニクス機器への組み込みニーズに対応し、低消費電力化と性能維持に貢献すると発表しています。
EVや再生可能エネルギー分野への展開を見据え
近年、脱炭素社会の実現に向けて、パワーエレクトロニクス機器の市場拡大が期待されています。特に、EV（電気自動車）のトラクションインバーター（EVの駆動モーターを制御する装置）やオンボードチャージャー（車載充電器）、太陽光発電等の再生可能エネルギー用電源システムなどにおいて、高性能なパワー半導体の需要が高まっています。
三菱電機は、これらの需要に応えるため、今回のトレンチ型SiC-MOSFETチップのサンプル提供を開始しました。同社は、既存のトレンチ型SiC-MOSFETチップに加え、使用範囲を広げる新たなチップ4品種をラインアップします。
SiC-MOSFETチップの特長
新製品は、同社独自構造を採用したトレンチ型SiC-MOSFETにより、従来のプレーナー型SiC-MOSFETと比較して電力損失を約50％低減できるとしています。電力損失の低減は、機器の効率向上に直結します。
また、独自のゲート酸化膜製法などの製造プロセス技術により、電力損失やオン抵抗（電流の流れにくさ）などの変動を抑制し、長期間使用時における品質の安定性を実現しています。これにより、機器の信頼性向上に貢献します。
過去の取り組みと今後の展望
三菱電機は、2010年にSiCパワー半導体モジュールを製品化して以来、エアコンや産業用機器、鉄道車両のインバーターシステムなどに採用され、低消費電力化に貢献してきました。今回のチップのラインアップ拡充は、これらの経験を活かしたものです。
同社は、本製品を「第40回ネプコンジャパン エレクトロニクス開発・実装展」（1月21日～23日、東京ビッグサイト）をはじめ、北米、欧州、中国、インド等で開催される展示会へ出展予定です。
Ms.ガジェット最後までお読みいただきありがとうございました！
- 本記事の評価は当サイト独自のものです。
- 特段の表示が無い限り、商品の価格や情報などは記事執筆時点での情報です。
- この情報が誤っていても当サイトでは一切の責任を負いかねますのでご了承ください。
- 当サイトに記載された商品・サービス名は各社の商標です。
- 本記事で使用している画像は、メディアユーザーとしてPR TIMESより提供されたプレスリリース素材を利用しています。