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第5世代SiC MOSFETの開発概要
ローム株式会社は、パワーエレクトロニクス回路の高温動作環境において、優れた性能を発揮する最新のEcoSiC（シリコンカーバイド素材を用いたデバイスのブランド）である「第5世代SiC MOSFET」を開発しました。
同社によると、素子構造の見直しや製造プロセスの最適化を図ったことで、実使用環境で重視される高温動作時（Tj=175℃）のオン抵抗値を、従来の第4世代品と比較して約30%低減することに成功したとのことです。これにより、xEV用トラクションインバータ（駆動用モーターを制御する装置）などの高温環境下で使用されるアプリケーションにおいて、ユニットの小型化や高出力化が期待されています。
Ms.ガジェット高温環境での性能向上は、熱対策が重要な車載機器やサーバー電源において大きなメリットになりそうですね。
提供開始時期と今後の展開
第5世代SiC MOSFETの開発は2026年3月に完了しており、今後の提供スケジュールは以下の通りとなっています。
- 2025年より：ベアチップサンプルの提供を先行して開始
- 2026年7月より：ディスクリートおよびモジュールのサンプル提供を開始
今後は耐圧やパッケージのラインアップを拡充する計画としており、あわせて設計ツールの充実やアプリケーション設計のサポート体制強化にも取り組むとのことです。さらなる社会実装を推進し、大電力アプリケーションにおける電力の有効活用を目指すとしています。
Ms.ガジェット2026年7月からモジュール等のサンプル提供が始まるということで、今後の採用事例が気になるところです。
想定される主なアプリケーション
今回開発された第5世代SiC MOSFETは、数キロワットから数百キロワット級の大電力で動作する幅広い分野での活用が見込まれています。
| 分野 | 主なアプリケーション例 |
|---|---|
| 車載機器 | トラクションインバータ、車載充電器（OBC）、DC-DCコンバータ、電動コンプレッサ |
| 産業機器 | AIサーバー、データセンター電源、PVインバータ、蓄電システム（ESS）、UPS、eVTOL、ACサーボ |
近年、生成AIやデータ処理の需要増加に伴い、高性能サーバーなどの電力密度が高まっています。ロームは、こうした大電力アプリケーションにおいて損失低減と高効率化の両立を実現することで、グローバルな需要に応えていく方針です。
Ms.ガジェットAIサーバーや電動車など、現在まさに需要が伸びている分野で幅広く活用されそうなデバイスですね。
- 本記事で使用している画像は、メディアユーザーとしてPR TIMESより提供されたプレスリリース素材を利用しています。