異種接合技術でパワー半導体の課題克服へ
UntroD Capital Japan株式会社が運営するリアルテックファンドは、大阪公立大学発のスタートアップである株式会社ヘテロスタックスへ出資したことを発表しました。同社は、異なる半導体材料を直接接合する「異種接合アーキテクチャ」を用いて、次世代パワー半導体デバイスの開発に取り組んでいます。

パワー半導体とは、電力を効率よく変換・制御するための半導体のことです。生成AIの普及やデータセンターの拡大、さらに電気自動車(EV)や再生可能エネルギー分野での需要が高まる中で、その重要性は増しています。ヘテロスタックスは、既存の半導体材料であるシリコン(Si)と、高耐圧特性を持つシリコンカーバイド(SiC)を組み合わせることで、低損失化や高信頼性、低コスト化の両立を目指しています。
Ms.ガジェットAI時代を見据えた独自のデバイス開発
同社が開発を進めているデバイス構造は、データセンターの電源をはじめとする中・高耐圧領域において、電力変換時のエネルギー損失を低減させる役割が期待されています。具体的な開発製品は以下の通りです。
- Si/SiC接合型トランジスタ「SABFET(TM)」
- Si/SiC接合型ダイオード「JGSD(TM)」
これらのデバイスは、AI社会や電動化社会における電力制約という課題を解決するための技術として位置付けられています。代表取締役CEOの佐々木公平氏は、次世代半導体材料の研究開発で長年の経験を有しており、材料開発から事業化までを横断的に推進する体制を整えています。
Ms.ガジェット今後の研究開発と資金使途
ヘテロスタックスは、今回の調達資金を活用して、SiとSiCを組み合わせた独自の接合型パワー半導体デバイスの研究開発を加速させる予定です。電力変換損失の低減を通じて、電力消費量やCO2排出量の削減に貢献する次世代パワー半導体の実現を目標としています。
リアルテックファンド側は、同社の技術が単一材料デバイスの限界を超える可能性を秘めていると評価しています。今後、日本発の新たなパワー半導体アーキテクチャを世界へ展開できるよう、投資を通じて支援していく方針とのことです。
Ms.ガジェット
リアルテックファンド、異種接合型パワー半導体のヘテロスタックスへ出資
最後までお読みいただきありがとうございました!
- 本記事の評価は当サイト独自のものです。
- 特段の表示が無い限り、商品の価格や情報などは記事執筆時点での情報です。
- この情報が誤っていても当サイトでは一切の責任を負いかねますのでご了承ください。
- 当サイトに記載された商品・サービス名は各社の商標です。
- 本記事で使用している画像は、メディアユーザーとしてPR TIMESより提供されたプレスリリース素材を利用しています。
