三菱電機、最新パワー半導体の採用検討期間を短縮するデータ提供を開始

インバーター開発の業務負荷を軽減する新サービス

三菱電機株式会社は、太陽光発電などの再生可能エネルギー電力変換システム（PCS：Power Conversion Systemの略）に採用される、最新の第8世代IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor：高耐圧絶縁ゲート型バイポーラトランジスタの略）搭載モジュールに関する技術データの提供を開始します。

本サービスでは、同社が設計した3レベルインバーター（中間電位の生成により出力電圧を3段階で制御する方式）の試作機について、設計データや検証データを無償で提供します。これにより、試作機の部品選定から設計、製作、検証に至るユーザーの業務負荷を軽減し、開発期間の短縮を図るとしています。

対象となるパワー半導体モジュール

データ提供の対象となるのは、中大容量PCS向けの「産業用LV100タイプ1.2kV IGBTモジュール」と、幅広いPCSに採用される「産業用NXタイプ1.2kV IGBTモジュール」です。インバーターシステム開発において技術課題となりやすい以下の項目について、実機評価やCAE（コンピューターを活用したシミュレーション等のエンジニアリングの略）による検証データが提供されます。

台湾・ITRIとの技術連携による実現

本サービスは、台湾の財団法人工業技術研究院（ITRI）との技術提携を通じて得られた成果を活用しています。ITRIが有する電力変換技術に関する高度な知見と、三菱電機の最新パワー半導体技術を融合させることで、より実用性の高い検証データの抽出を実現したとのことです。

ITRIは、台湾の新竹県に本部を置く世界有数の応用研究機関であり、今回の連携ではインバーター試作機の周辺部設計や試験環境の構築において協力体制がとられています。提供されるデータは、ユーザーが設計基準で製作する試作機の精度向上にも貢献する参考情報として活用される予定です。

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