オキサイド、半導体後工程向けDUVレーザ製品化

半導体後工程向け高パルスエネルギー深紫外レーザの製品化

株式会社オキサイドは、半導体後工程向け高パルスエネルギー深紫外レーザを新たに製品化しました。

本製品は、半導体後工程における微細構造形成や特殊材料の選択的加工など、高精度かつ低ダメージが求められる微細加工に最適なソリューションとして開発されました。

同社はこれまで、半導体前工程のウエハ欠陥検査装置向けに深紫外レーザを供給し、世界的なシェアを獲得しています。今回の製品化は、培ってきた技術基盤を半導体後工程へ展開する第一弾となります。

先端パッケージングにおけるレーザの重要性

生成AIなどの普及により、半導体はチップの微細化に加え、先端パッケージングにおける高密度実装と微細加工の重要性が高まっています。

微細加工の分野では、非接触で高精度加工が可能なレーザ技術が、従来の機械加工やエッチングプロセスを補完・代替する有力な手法として注目されています。

レーザを用いた加工は、微小ビア形成、再配線層加工、レーザダイシングなどにおいて、高い寸法精度と低ダメージ加工を実現できるため、適用領域が拡大しています。（微小ビア形成とは、半導体チップ内の配線を接続するための微細な穴をあけることです。）

製品概要

「QCW Kalama」シリーズ高パルスエネルギーモデルは、波長266nm、パルス幅約30ps、繰り返し周波数1MHz、パルスエネルギー＞1μJを実現した深紫外ピコ秒レーザです。（ピコ秒レーザとは、1兆分の1秒という極めて短い時間で光を放出するレーザのことです。）

この製品は、半導体後工程における微細構造形成や特殊材料の選択的加工など、高い精密性と熱影響の抑制が求められるアプリケーションでの活用を想定して開発されました。

従来の可視・紫外レーザと比較して、高精度な加工を低ダメージで実現し、高スループット化にも貢献することで、半導体製造の歩留まり改善や工程短縮に大きく寄与すると期待されています。

主な特長

• 半導体後工程における微細構造形成や特殊材料の選択的加工に有効な高パルスエネルギー（＞1μJ）と、量産工場での高スループット化を両立
• 「QCW Kalama」シリーズの基幹技術をベースとし、深紫外波長とピコ秒パルスを組み合わせることで、材料への熱影響を最小限に抑制
• 微細構造形成や特殊材料の選択的加工における加工精度を飛躍的に向上させ、半導体製造の歩留まり改善に貢献
• 繰り返し周波数1MHzにより、加工時間の短縮と生産性の向上を実現し、工程短縮に貢献

展示会情報

株式会社オキサイドは、この製品をSEMICON JAPAN 2025にて展示する予定です。

イベント名：SEMICON JAPAN 2025

会期：2025年12月17日-2025年12月19日

会場：東京ビッグサイトEast Halls

詳細はこちら：https://www.semiconjapan.org/jp

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