TMH、Patentixに出資し次世代パワー半導体材料の実用化へ

2026年4月1日

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株式会社TMH（本社：大分県大分市、代表取締役社長：榎並大輔）は、Patentix株式会社（本社：滋賀県草津市、代表取締役社長：衣斐豊祐）への出資を通じて、次世代パワー半導体材料の実用化を目的とした戦略的パートナーシップを構築しました。本出資は、Patentixが実施する総額149,997,600円の第三者割当増資の一部をTMHが引き受ける形で行われます。

パートナーシップ構築の背景

AIの急速な進化に伴うデータ処理量の増大により、半導体は社会インフラとしての重要性を増しています。同時に、データセンターやモビリティ分野を中心に電力消費の増大が深刻な課題となっており、電力効率を大きく高めうる次世代パワー半導体材料への期待が高まっています。Patentixが研究開発を進めるルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）は、こうした課題に応えうる新材料として注目されています。

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TMHは「止めない製造」の実現を掲げ、ECプラットフォームを活用した半導体製造装置・部品の調達や修理サービス、エンジニアリングを活用した中古半導体製造装置の販売を通じて、製造現場の安定稼働を支えています。中長期ビジョン「Vision1000」において、先端技術領域への出資やパートナーシップを事業成長の重要な戦略として位置づけており、本件はその具体的な取り組みとなります。

一方、Patentixは立命館大学発のディープテックベンチャーとして、r-GeO2の研究開発を推進してきました。r-GeO2の実用化を加速するためには、材料研究のみならず、半導体製造プロセスや量産化に関する実践的な知見が不可欠です。Patentixは、TMHが有する製造現場の知見や国内外のサプライチェーンネットワークとの連携が、r-GeO2の社会実装を前進させる力になると考えています。

Ms.ガジェット

半導体の電力効率課題解決に新材料が注目される中、製造現場の知見と先端技術の組み合わせは実用化を加速させる可能性がありますね。

Patentixの先端材料技術

パワー半導体分野では、シリコン（Si）に代わる次世代材料として、炭化ケイ素（SiC）や酸化ガリウム（Ga2O3）などの研究が進められています。SiCではp型・n型の両伝導が実現されているものの、Ga2O3をはじめとするより広いバンドギャップを持つ材料群では、デバイス設計に不可欠なp型ドーピングの実現が大きな課題となっています。p型・n型の両伝導が実現できない場合、回路設計の自由度が制限され、電力変換の効率や装置の小型化にも制約が生じます。

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Patentixが研究開発を進めるルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）は、この課題に対する有力な解として注目される新材料です。バンドギャップは約4.68eVとGa2O3に匹敵する超ワイドバンドギャップを持ちながら、p型・n型の両伝導が理論的に可能とされています。さらに、Ga2O3を上回る熱伝導率と電子移動度を有するとされ、パワーデバイスとしての総合的な性能指標（バリガ性能指数）においても、既存材料を上回る可能性が示されています。

Patentixは、独自の薄膜成長技術「Phantom SVD法」を用いたr-GeO2薄膜の成膜に成功しています。2024年にはr-GeO2単結晶薄膜を用いたショットキーバリアダイオード（SBD）の動作実証にも世界で初めて成功しており、実用化に向けた技術的なマイルストーンを着実に積み重ねています。

Ms.ガジェット

r-GeO2がp型・n型両伝導可能というのは、デバイス設計の自由度を大きく広げる材料上のブレイクスルーと言えそうです。