STマイクロエレクトロニクスは、第2世代MasterGaNハーフブリッジ・ファミリの初製品となる「MasterGaン6」を発表しました。この新しいパワーSiP（システム・イン・パッケージ）は、最新のBCD（Bipolar CMOS DMOS）ドライバと、オン抵抗RDS(on)がわずか140mΩの高性能GaN（窒化ガリウム）パワー・トランジスタを集積しています。
製品概要
MasterGaN6は、STのMasterGaNファミリで実績のある高集積化技術を活用し、フォルト検出やスタンバイ機能などの専用ピン数を増加しています。これらの機能によって、スマートなシステム制御と消費電力の削減を実現します。また、LDOとブートストラップ・ダイオードも内蔵しているため、外付け部品を削減しつつ、駆動の最適化が可能です。
Ms.ガジェット主要スペック
| 項目 | 値 |
|---|---|
| 集積部品 | BCDドライバ、GaNパワー・トランジスタ、LDO、ブートストラップ・ダイオード |
| オン抵抗（RDS(on)） | 140mΩ |
| 最大電流 | 10A |
| パッケージ | 小型QFN（9 x 9mm） |
| 単価（参考） | 1000個購入時約4.14ドル |
技術的特徴
このドライバは非常に高速のタイミング技術を採用しており、最小オン時間と伝搬遅延が短いため、高周波数動作が可能です。回路面積の最小化にも貢献します。さらに、超高速のウェイクアップ時間はバーストモード動作を強化し、低負荷時の効率を最適にします。保護機能として、貫通電流の防止、過熱シャットダウン、超低電圧ロックアウトを内蔵しているため、部材コストの低減や基板面積の小型化、回路レイアウトの簡略化を実現できます。
Ms.ガジェット対応用途と回路トポロジ
MasterGaN6は最大10Aの電流を処理可能で、コンスーマ機器用の充電器やアダプタ、産業用照明機器の電源、太陽光発電設備用DC-AC小型インバータなどに設計されています。ハーフブリッジ構成は、アクティブ・クランプ・フライバック（ACF）回路、共振LLC回路、反転出力の降圧コンバータ、力率補正回路（PFC）など、多様な回路トポロジに最適です。
この新しいICを迅速に評価できるようにするため、STは評価ボード「EVLMG6」をリリースするとともに、eDesignSuiteのPCB熱分布シミュレータにMasterGaN6のモデルを追加しました。
Ms.ガジェット価格と供給状況
MasterGaN6は現在量産中で、小型QFNパッケージ（9 x 9mm）で提供されます。単価は、1000個購入時に約4.14ドルです。詳細については、同社ウェブサイトで確認できます。
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