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次世代半導体製造を支える新技術
アプライド マテリアルズは、世界最先端ロジックチップの微細構造を形成する半導体製造装置2機種を発表しました。AIコンピューティングの需要急増に伴い、トランジスタの電力効率を向上させることが求められています。
今回発表された新装置は、2nm（ナノメートル）以降のプロセスで導入されるGAAトランジスタの量産を支援するものです。原子レベルでの精密な制御により、高速かつ電力効率の高いチップ製造を実現します。
Ms.ガジェットAI開発には欠かせない高性能チップの製造プロセスを根本から支える装置ですね。
絶縁性能を高めるPrecision Selective Nitride PECVD
1つ目の新装置「Precision Selective Nitride PECVD（プラズマ強化化学気相成長）」は、シャロー トレンチ アイソレーション（絶縁分離）の完全性を保つための技術です。
- 業界初の選択的ボトムアップ成膜プロセスを採用
- トレンチ内でのリセス（溝の損耗）を防ぎ絶縁性を維持
- 寄生容量を低減し、電力効率を大幅に改善
この技術により、隣接するトランジスタ間での不要なリーク電流を抑制します。現在、複数の大手ロジックチップメーカーが2nm以降のプロセスノードで採用を進めているとのことです。
Ms.ガジェットトランジスタ間のリーク電流を抑えることは、チップの省電力化に直結しますね。
Trillium ALDによる精密なゲート形成
2つ目の装置「Trillium ALD（原子層堆積）」は、GAAトランジスタの複雑なメタルゲートスタックを形成するために設計されました。
| 装置名 | 主な目的 |
|---|---|
| Precision Selective Nitride PECVD | 絶縁分離の維持と寄生容量の低減 |
| Trillium ALD | 複雑なゲート構造への精密なメタル成膜 |
Trillium ALDは、複数のメタル成膜ステップを単一プラットフォームに集約しています。オングストロームレベルでの厚さ制御が可能となっており、トランジスタの性能や信頼性を高める役割を果たします。
同社によると、この装置はFinFET（フィン型電界効果トランジスタ）プロセスで培った技術を応用し、GAA向けに最適化されているとのことです。こちらもすでに複数の大手メーカーで導入が進んでいます。
Ms.ガジェットオングストロームレベルでの制御というのは、まさに限界に挑む技術といえますね。
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