株式会社AndTechは、半導体製造プロセスにおいて重要な役割を果たす化学機械研磨（CMP）技術に特化したWEBセミナーを2026年5月14日に開催することを発表しました。本セミナーは、CMP技術の基礎から最新の評価手法までを、業界の第一人者が解説するものです。
セミナー概要
以下がセミナーの基本情報です。
開催日時：2026年5月14日（木）10:30〜16:50
開催形式：WEBオンライン（Zoomを使用したライブ配信）
参加費：60,500円（税込）※資料は電子配布予定
お申し込み後、参加用のZoom URLが個別に送付されます。
Ms.ガジェット講師とプログラム
本セミナーは4部構成で、以下の専門家が講演を担当します。各講演の主旨とプログラム内容は以下の通りです。
| 部 | テーマ | 講師 |
|---|---|---|
| 第1部 | 半導体製造の化学機械研磨（CMP）技術の概要とCMP後洗浄の特徴 | 株式会社荏原製作所 今井正芳氏 |
| 第2部 | CMPの材料除去メカニズム ―副資材（パッド・スラリー）の可視化に基づく理解― | 岐阜大学 畝田道雄氏 |
| 第3部 | シリカ系粒子の特徴と半導体研磨への応用技術 | 日揮触媒化成株式会社 碓田真也氏 |
| 第4部 | CMPスラリーの分散性評価とウェーハとの静電相互作用 | 大塚電子株式会社 加藤丈滋氏 |
第1部では、CMP装置の基本構造を述べ、特にCMP後の洗浄については一般の半導体洗浄との違いやCMP独特な洗浄課題を解説します。第2部は、接触画像解析法およびその場観察技術を用いてCMP環境を可視化した研究成果に基づき、材料除去メカニズムを考察します。第3部は、砥粒メーカーの視点からシリカ砥粒の物性と機能の関係、ハンドリングにおける課題を紹介します。第4部は、光散乱法を用いたスラリーの分散性評価とウェーハのゼータ電位測定法、静電相互作用の評価法を扱います。
Ms.ガジェット学べる内容
本セミナーでは、以下の知識の習得や技術課題の解決に役立つ内容を学習できます。
- 半導体技術ロードマップ～CMP装置の基礎知識
- 一般半導体の洗浄とCMP後の洗浄の基礎知識
- CMP（Chemical Mechanical Polishing）の基礎原理と材料除去機構
- CMP中におけるパッド・基板・スラリーの接触界面現象
- 接触画像解析による接触界面観察および評価手法
- CMPにおけるスラリー挙動と加工現象との関係
- 接触面積率と材料除去レートとの関係
- CMPプロセス理解のための評価指標と解析の考え方
- 砥粒に対する要求性能と課題
- シリカ砥粒の物性と機能の関係
- シリカ砥粒のハンドリングにおける課題と注意事項
- 動的光散乱法/電気泳動光散乱法の基礎理論
- ウェーハのゼータ電位測定法
- スラリーの分散凝集の評価法
- ウェーハの静電相互作用の評価法
Ms.ガジェット受講方法
本セミナーは、WEB会議ツール「Zoom」を使用したライブ配信セミナーです。お申し込み後、メールで参加用URLが送付されます。詳細なスケジュールや内容は、セミナー詳細ページで確認できます。
セミナー詳細URL
Ms.ガジェット株式会社AndTechは、化学、素材、エレクトロニクス、自動車、エネルギー、医療機器、食品包装、建材など幅広い分野のR&D支援サービスを提供しています。技術講習会の他、講師派遣、出版、コンサルタント派遣、市場動向調査、ビジネスマッチング、事業開発コンサル等を行っています。
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