東京エレクトロンデバイスとアイテス、SiCデバイスの検査で協業

SiCデバイス開発における課題と協業の背景

省エネルギー化やカーボンニュートラルの実現に向け、SiCデバイスは自動車や再生可能エネルギーなど多様な分野で採用が進んでいます。一方で、SiC特有の結晶欠陥であるBPD（Basal Plane Dislocation）に起因する通電劣化が、長期信頼性を左右する重要な課題となっています。

これまでの検査手法では、こうした潜在的な欠陥を検出することが困難でした。材料やプロセス条件の評価には数カ月単位の時間がかかることも多く、開発サイクルの長期化やコスト増大が本格導入の障壁となっています。

新製品「ITS-SCX100」による可視化ソリューション

両社は今回の協業において、新製品「SiC潜在欠陥検査装置／通電劣化シミュレーター ITS-SCX100」の開発と販売を推進します。この装置は、UVレーザー照射によりSiCウェーハ内の潜在的なBPDを拡張し、可視化する仕組みとなっています。

• UVレーザー照射により、ウェーハ全面の潜在欠陥を短時間で顕在化
• 材料ロットやプロセス条件による欠陥分布の変化をウェーハレベルで評価可能
• 従来数カ月を要していたサンプル試験を代替し、開発サイクルを短縮
• 潜在欠陥マップと電気特性試験を組み合わせ、不良要因分析を高度化

役割分担と今後の展開

今回の取り組みにおいて、東京エレクトロンデバイスは半導体ウェーハ検査装置の開発で培った知見をもとに、装置およびシステムの企画・提供を担います。一方、アイテスは電子部品の分析解析や信頼性評価サービスで培った技術を活かし、評価メニューの設計やデータ解析を担当します。

協業における両社の役割

担当企業	主な役割
東京エレクトロンデバイス	装置・システムの企画および提供
アイテス	評価メニュー設計、測定およびデータ解析

今後は、材料メーカーやデバイスメーカー向けに評価サービスやソリューション提案を行うとともに、技術セミナーやホワイトペーパーを通じた情報発信も予定しているとのことです。また、装置導入だけでなく、アイテスによる評価受託サービスとしての提供も検討されています。

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