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新開発のSmart STripFET F8テクノロジー
STマイクロエレクトロニクスは、電力供給アプリケーションの効率向上と基板面積の削減を両立する、低オン抵抗のパワーMOSFETシリーズを発表しました。今回導入された「Smart STripFET F8」テクノロジーは、従来のトレンチ・ゲート構造を改良することで、オン時の特性とサイズ効率を強化しています。
導通損失を最小化することが求められる大電流配電などのアプリケーションにおいて、高い効果を発揮するとのことです。同社のゲート・ドライバ製品と組み合わせることで、回路基板やコネクタ、配線の保護をより効率的に行えるとしています。
Ms.ガジェット電力供給の効率化は、車載機器の省スペース化に直結する重要な技術ですね。
シリーズ初の製品「STL059N4S8AG」の仕様
新シリーズの第1弾として展開される「STL059N4S8AG」は、40V / 420AのNチャネル・エンハンスメント・モードMOSFETです。主なスペックは以下の通りです。
| 項目 | 仕様 |
|---|---|
| オン抵抗（RDS(on)） | 0.59mΩ |
| パッケージ | PowerFLAT 5 x 6 |
| 最高動作温度 | 175°C |
| 車載規格 | AEC-Q101準拠 |
この製品は、自動光学検査に対応するウェッタブル・フランク・パッケージを採用しています。基板面積の削減に寄与する小型設計でありながら、厳しい信頼性要件にも適合する性能を備えているとのことです。
Ms.ガジェット0.59mΩという低いオン抵抗と、175°Cまでの耐熱性能は、高い負荷がかかる車載環境で重宝されそうです。
車載アプリケーションへの貢献
同製品は、車載電気システムにおける消費電力を抑えることで、電気自動車の走行距離延長に貢献するとしています。特にバッテリ・マネージメント・システム（BMS）においては、バッテリの充放電効率を向上させる役割を担います。
なお、同製品は現在量産が開始されています。あわせて、以下の製品も今後リリースされる予定です。
- STL075N4S8AG：電流定格350A、オン抵抗0.75mΩ
- STK035N4S8AG：電流定格780A、オン抵抗0.35mΩ
車載グレードのMOSFETとして、今後の市場展開が注目されます。
Ms.ガジェット充放電効率の向上は、バッテリ寿命や車両の航続距離に直接関わるため、技術的な重要性が高い分野ですね。
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