高速スイッチングを実現するGaNドライバ
STマイクロエレクトロニクスは、GaN（窒化ガリウム）を活用した電力およびモーション制御アプリケーション向けの新しい高速ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ2種を発表しました。「STDRIVEG212」と「STDRIVEG612」は、それぞれ最大220Vおよび600Vのハイサイド電圧に対応しています。
本製品は、エンハンスト・モードGaN HEMTに対して厳密に制御された5Vのゲート駆動信号を供給します。ハイサイドおよびローサイドの5Vリニア・レギュレータ（LDO）や、ブートストラップ・ダイオードなどの保護機能を、4×5mmサイズのQFNパッケージに集積した構成となっています。
Ms.ガジェットスマート保護機能と精密なゲート制御
本製品には、過電流検出時にGaN HEMTをオフにするコンパレータが組み込まれています。スマート・シャットダウン（smartSD）機能により、冷却が十分に行われるまでオフ状態を維持するほか、フォルト・ピンを通じて過電流、過熱、低電圧ロックアウト（UVLO）の状態をレポート可能です。
主な製品仕様は以下の通りとなっています。
| 項目 | STDRIVEG212 | STDRIVEG612 |
|---|---|---|
| ハイサイド電圧 | 最大220V | 最大600V |
| 動作温度範囲 | -40°C 〜 +125°C | -40°C 〜 +125°C |
| パッケージ | QFN (4 x 5mm) | QFN (4 x 5mm) |
Ms.ガジェットモーション制御の効率を最大化
両製品は、ハード・スイッチングのアプリケーションにおいてGaN技術の利点を高めることを目的としています。ハイサイドとローサイド間の伝播遅延時間は50ns以下にマッチングされており、±200V/nsのdV/dt過渡電圧にも耐えられる設計です。
内蔵のLDOは、シンク側に最大1.8A、ソース側に0.8Aの大電流容量を備えています。これにより、回路設計者はターンオン時とターンオフ時のインピーダンスを個別に設定でき、dV/dtとdI/dtを最適化することが可能です。この仕組みにより、部品点数の削減や誘導ターンオンの防止に貢献します。
Ms.ガジェット提供状況と産業機器への対応
産業機器向けとして設計されており、現在量産が開始されています。1000個購入時の単価は約1.25ドルとなっています。また、開発を支援する評価ボード「EVLSTDRIVEG212」も現在提供中です。
システムの設計と集積を簡略化するため、20Vまで耐えられるロジック入力ピンや、消費電力を抑制する専用シャットダウン・ピンも搭載されています。産業用途での電力エネルギー管理効率化をサポートする製品として位置づけられています。
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