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オンセミ、Sineng Electricの太陽光・ESSにハイブリッドPIMを供給

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オンセミ(本社:米国アリゾナ州スコッツデール、Nasdaq:ON)は2026年3月31日、Sineng Electricの次世代430 kW液冷エネルギー貯蔵システム(ESS)および320 kWユーティリティ規模太陽光ストリングインバータに向けて、同社の最新世代ハイブリッド・パワー・インテグレーテッド・モジュール(PIM)が採用されたと発表しました。本デザインウィンにより、Sinengのソリューションは効率、電力密度、信頼性を向上させます。

目次

導入:デザインウィンの獲得

オンセミのハイブリッドPIMは、FS7絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ(IGBT)およびEliteSiC技術を統合したF5BPパッケージを採用しています。これにより、Sinengの430 kW ESSおよび320 kW太陽光インバータの性能が向上します。

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Ms.ガジェット
再生可能エネルギーシステムの効率化に貢献する技術採用ですね。

ハイブリッドPIMの主要スペック

項目 従来世代との比較
効率向上 最大0.1%(システムレベルでround-trip efficiencyを0.75%向上)
電力密度向上 同一フットプリントで32%向上、システム出力を320 kWから350 kWへ
電力損失低減 最大8%
スイッチング損失低減 10%
熱抵抗低減 9.3%(Direct Bonded Copper基板設計により)
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0.1%の効率向上がシステム全体で0.75%のRTE向上につながるのは、積み重ね効果が大きいですね。

技術的特徴と性能向上

オンセミのhybrid F5BP PIMは、以下の特長により性能を向上させています。

  • FS7 IGBTとEliteSiCダイオード技術の統合
  • 高密度F5BPパッケージによる小型化
  • Direct Bonded Copper (DBC) 基板設計で浮遊容量を最小化
  • 最適化された電気レイアウトと革新的なベースプレート設計

ベンチマーク試験では、320 kW太陽光インバータ構成において0.07%の効率向上を達成し、損失を225 W低減しました。また、430 kW ESSにおいては、round-trip efficiency (RTE)を0.75%向上、補助電力消費を5%削減、必要なモジュール数を減らすことで部品コストを低減します。

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高電力密度化によりシステムをコンパクト化できるのは、設置スペースに制約がある場合に便利ですね。

Sineng Electricとオンセミからのコメント

Sineng ElectricのR&D部門ゼネラルマネージャーであるJianfeng Sun氏は、「ユーティリティ規模の事業者は、同一フットプリントからより多くの電力を引き出しながら、ライフサイクルコストを削減することに注力しています。オンセミのF5BPパッケージ・ハイブリッドモジュールを430 kW ESSおよび320 kWインバータ・プラットフォームに統合することで、高電力密度によるシステム定格の向上と、変換効率の改善という2つの重要な課題に同時に対応できます。これらの積み重ねが、より安定した再生可能エネルギーグリッドの実現につながります」と述べています。

オンセミのIGBTパワー部門バイスプレジデント兼ゼネラルマネージャーであるSravan Vanaparthy氏は、「多くの開発者は、既存レイアウトに適合し、熱設計を簡素化し、エネルギー損失を低減できるソリューションを求めています。当社のF5BPモジュールにFS7 IGBTとEliteSiCダイオード技術を組み合わせることで、フットプリントを拡大することなく、より高い変換効率と電力密度を実現できます。これにより、同一システムサイズでの出力向上が可能となり、信頼性とライフタイム運用コストの両面で大きな価値を提供します」と説明しています。

Ms.ガジェット
双方の企業が技術協力を通じて再生可能エネルギーグリッドの安定化に貢献している姿勢が伺えます。

詳細情報

製品ページやデータシートなどの詳細情報は以下のURLからアクセスできます。

Ms.ガジェット
技術詳細を確認したい場合、これらの資料が役立つでしょう。

最後までお読みいただきありがとうございました!

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