STマイクロエレクトロニクスは、AIデータセンター向け電力供給システムの効率化を目的として、800V直流電力変換ポートフォリオを拡充しました。新たに800Vから12Vおよび6Vへの変換に対応した2つのアーキテクチャ製品を追加し、NVIDIA社の800V直流電力変換リファレンス設計に基づいて開発されています。これらの製品は、NVIDIA GTC 2026にて紹介される予定です。
800V直流電力変換ポートフォリオの拡充
従来、STは800Vから50Vへの直流変換ソリューションを提供していましたが、新たに800Vから12Vおよび800Vから6Vへの変換アーキテクチャを追加しました。これにより、AIデータセンター内のギガワット級コンピューティング・インフラ向けに、より包括的な電力ポートフォリオを実現します。STのパワー半導体、アナログ、ミックスド・シグナル技術を結集し、チップおよびパッケージレベルでのカスタム設計に対応しています。
Ms.ガジェット12Vおよび6V変換アーキテクチャの技術的特徴
新しい800V-12V DC-DCコンバータは、ラック単位の電源シェルフから直接AIアクセラレータに給電する経路を提供します。従来の中間的な54V段が不要となり、変換ステップ数を削減してシステムレベルの損失を低減します。高密度電源供給ボード（PDB）を搭載し、高い効率目標を達成しています。
800V-6V DC-DC変換アーキテクチャは、電力変換の段数を削減し、6VバスをGPUの近くに配置できます。これにより銅線の使用量を削減し、抵抗損失を最小化するとともに、過渡性能を向上させます。超高密度GPU構成のサーバに適したトポロジを提供します。
| 変換径路 | 主な特徴 | 利点 |
|---|---|---|
| 800V-12V | 直接変換、高密度PDB搭載 | 変換ステップ数削減、システム損失低減、ラック効率向上 |
| 800V-6V | GPU近傍変換、段数削減 | 銅線使用量削減、抵抗損失最小化、過渡性能向上 |
Ms.ガジェットAIサーバ多様化への対応
AIインフラの計算規模が急速に拡大する中、より高い電圧での配電と高密度化が求められています。STのアナログ・パワー & ディスクリート・MEMS・センサグループ社長であるMarco Cassisは、「多様なAIサーバの形状やサイズごとに、システムレベルでのイノベーションを起こすことでしか達成できません。800V直流配電に対応したこれらの新しいコンバータにより、STは、より効率的で拡張性が高く、かつ持続可能な電力アーキテクチャを通じて、ギガワット規模の計算インフラの普及を支援する包括的なソリューションを提供します」とコメントしています。
AIインフラの計算規模拡大に伴い、GPUの世代やサーバの形状、冷却方法に応じた多様な配電構成が必要とされています。50V、12V、6Vの中間的なDCバスが共存することで、ラック密度やGPU構成、冷却方法に最適化された設計が可能になります。STは、シリコン、炭化ケイ素（SiC）、窒化ガリウム（GaN）などのパワー半導体技術を活用し、システムメーカーのカスタム要求に対応します。
Ms.ガジェットNVIDIAとの協力と実績
これらの新製品は、NVIDIA社の800V直流電力変換リファレンス設計に基づいて共同開発されました。NVIDIA GTC 2026で紹介される予定です。STは2025年10月に、GaNベースの小型12kW LLCコンバータの試作品を発表しており、800V直接入力で1MHz動作時に98%以上の効率と、50Vで2,600W/in³を超える電力密度を達成しています。この技術実績を基に、新アーキテクチャ製品の提供を開始します。
Ms.ガジェット技術情報の詳細は、STの公式ブログで公開されています。
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