株式会社Gaianixxは、第三者割当増資によりシリーズC 1stラウンドで総額20億円の資金調達を実施したことを発表しました。これにより累計資金調達額は約38.5億円となります。東京大学発のスタートアップである同社は、独自技術「多能性(R)中間膜」を用いて化合物半導体の結晶成長における革新を目指しています。
資金調達の背景と目的
「多能性(R)中間膜」は、基板と半導体膜の間の格子不整合（原子の間隔が異なる状態）を緩和し、高品質な単結晶膜の形成を可能にする技術です。前回のシリーズB以降、技術の有効性が研究開発から商用化フェーズへ移行し、2社とのデザインウィン（開発移行）が完了しています。さらに国内外のデバイスメーカーなど約40社から共同開発・評価の引き合いがあり、次世代センサー、通信デバイス、パワー半導体など多岐にわたる産業分野での採用検討が進んでいます。
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資金の具体的な使途
調達した20億円は、以下の領域に重点投資されます。
- 山梨テクニカルセンターの本格稼働と独自パイロットラインの運用により、ラボレベルを超えた大規模サンプル供給とプロセス検証を実現
- グローバル事業開発の本格化と、量産プロセスエンジニア、事業開発（BD）、知財戦略の専門人材採用を大幅に強化
- 知財戦略のさらなる盤石化：現在12件の特許を権利化（うち11件は中核技術である多能性(R)中間膜に関するもの）し、国内外で87件を継続出願中
Ms.ガジェット新規・既存投資家からのコメント
本ラウンドには、既存投資家として株式会社東京大学エッジキャピタルパートナーズ（UTEC）やJICベンチャー・グロース・インベストメンツ株式会社など、新規投資家として三井金属CVC2号ファンドやVertex Ventures Japanなどが参画しました。各投資家からは、Gaianixxの技術が化合物半導体市場のプラットフォーム技術となる可能性や、AI普及に伴う半導体高性能化への貢献に期待が寄せられています。特に、JIC VGIからは「自社工場の構築でサプライチェーンを整えている点」、Vertex Venturesからは「単結晶化を実現するプラットフォーム技術の可能性」が高く評価されました。
Ms.ガジェット代表取締役からのコメント
代表取締役の中尾健人は、「多能性(R)中間膜が『コストと性能のトレードオフ』を解消するソリューションとして、デザインウィン完了や多数の引き合いから強い期待を得ていると確信しています。新たな株主やパートナーと『共創』し、半導体エコシステムへの貢献を目指します。」と述べました。Gaianixxは、革新的な製造ソリューションを世界中のデバイスメーカーに提供し、化合物半導体市場の革新をリードしていくことを目指しています。
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