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イーディーピー、ダイヤモンド/シリコン複合ウエハの製造技術に関する論文を発表
株式会社イーディーピーは2026年2月2日、ダイヤモンド/シリコン複合ウエハの製造技術に関する論文を発表しました。
同社は、大型のダイヤモンド単結晶を実用化したことを主要な強みとしています。2025年2月には世界最大となる30mm×30mmの単結晶基板を商品化し、同年4月には1インチウエハ(直径25mm)を発売しています。
半導体デバイスの製造には、直径2インチ(50mm)以上のウエハが必要とされています。そのため、さらなる大型化が求められていました。そこで、イーディーピーと産総研は共同研究を行い、半導体製造プロセスに耐えうるダイヤモンド/シリコン複合ウエハの製造技術を確立したと発表しています。
研究成果の概要
研究の概要
2インチシリコンウエハとダイヤモンド単結晶との接合技術を確立しました。試作したダイヤモンド/シリコン複合ウエハの半導体製造プロセスへの適用可能性も確認されています。
研究結果の特長
- 接合を高温下で行うことで、接合により発生する反りを低減
- 半導体洗浄プロセスを行っても、ダイヤモンド/シリコン接合が化学的に安定であることを確認
- 接合されたダイヤモンド上に、縮小投影露光装置によるパターン描画が可能であることを実証
研究結果の発表
2026年2月2日に、ACS Applied Engineering Materialsに「Reduction of Thermal Warpage in Diamond/Si Wafer by High Temperature Bonding」というタイトルで論文が掲載されました。
今後の見通し
イーディーピーと産総研は、今回発表した複合ウエハ作製技術の知的財産権の取得を共同で進めていくとしています。また、イーディーピーは同技術の実用化に向けて課題の解決を進め、量産体制の確立に努めていく方針です。
技術内容の詳細については、イーディーピーのホームページで確認できるとのことです。
Ms.ガジェット今回の技術は、半導体分野における新たな可能性を広げるものかもしれません。今後の実用化に向けた取り組みに期待したいですね!
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